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首页 全部分类 STF10NM65N vs STF12NM50ND

STF10NM65N备选型号: STF12NM50ND

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STF10NM65N
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    9A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    480m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    850pF @ 50V
    25nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    20 ns
    4.5A
    TO-220AB
    25V
    9A
    0.48Ohm
    650V
    650V
    3 V
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF12NM50ND
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    11A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF12
    3
    -
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    850pF @ 50V
    30nC @ 10V
    15ns
    ±25V
    17 ns
    11A
    TO-220AB
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    SINGLE
    500V
    44A
    500V
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