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首页 全部分类 STF10P6F6 vs RFD8P05SM

STF10P6F6备选型号: RFD8P05SM

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STF10P6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 60V 10A TO-220FP
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    10A Tc
    150°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STF10P
    Single
    增强型MOSFET
    20W
    DRAIN
    64 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    5.3ns
    ±20V
    3.7 ns
    10A
    TO-251
    20V
    7.2A
    0.16Ohm
    60V
    40A
    80 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFD8P05SM
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA
    -
    通孔
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    8A Tc
    -
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    48W
    -
    -
    P-Channel
    -
    300m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    80nC @ 20V
    30ns
    -
    20 ns
    11A
    -
    20V
    -
    -
    -50V
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    175°C
    -55°C
    -50V
    38W
    -8A
    50V
    350pF
    含铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
RFD8P05SM RFD8P05SM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA 对比