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首页 全部分类 STF120NF10 vs STF130N10F3

STF120NF10备选型号: STF130N10F3

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STF120NF10
    STMicroelectronics
    MOSFET Nchannel 100 V 0.009 Ohm, 110 A, STripFET
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF12
    3
    100V
    Single
    41A
    增强型MOSFET
    45W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    5200pF @ 25V
    233nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    68 ns
    41A
    TO-220AB
    20V
    100V
    550 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF130N10F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    35W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ III
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9.6MOhm
    -
    STF13
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    35W
    -
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.6m Ω @ 23A, 10V
    4V @ 250μA
    3305pF @ 25V
    57nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    7.2 ns
    46A
    TO-220AB
    20V
    100V
    125 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    超低电阻
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    184A
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