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首页 全部分类 STF12N65M5 vs IRFI4212H-117P

STF12N65M5备选型号: IRFI4212H-117P

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  • 端子位置
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  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STF12N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-5 Full Pack
    3
    SILICON
    8.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    430mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF12
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    22.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    430m Ω @ 4.3A, 10V
    5V @ 250μA
    900pF @ 100V
    22nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    24 ns
    8.5A
    4V
    TO-220AB
    25V
    650V
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4212H-117P
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-5 Full Pack
    5
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    72.5MOhm
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    18W
    ISOLATED
    4.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    AMPLIFIER
    72.5m Ω @ 6.6A, 10V
    5V @ 250μA
    490pF @ 50V
    18nC @ 10V
    8.3ns
    -
    4.3 ns
    11A
    5V
    -
    20V
    100V
    9.02mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2006
    18W
    SINGLE
    100V
    44A
    41 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    54 ns
    Standard
    5 V
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