Infineon Technologies IRFI4019H-117P

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-5 Full Pack

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

95MOhm

最大功率耗散

18W

端子位置

SINGLE

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

18W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 5.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

6.6ns

漏源电压 (Vdss)

150V

下降时间（典型值）

3.1 ns

连续放电电流(ID)

8.7A

阈值电压

4.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34A

雪崩能量等级（Eas）

77 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

86 ns

场效应管特性

Standard

栅源电压

4.9 V

高度

9.02mm

长度

10.6172mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅