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首页 全部分类 STF18N55M5 vs STF16N65M5

STF18N55M5备选型号: STF16N65M5

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 接通延迟时间
  • STMicroelectronics
    STF18N55M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    16A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    240MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    STF18
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    192m Ω @ 8A, 10V
    5V @ 250μA
    1260pF @ 100V
    31nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    13 ns
    13A
    4V
    TO-220AB
    25V
    550V
    52A
    200 mJ
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF16N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    12A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    279mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    STF16
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    299m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1250pF @ 100V
    45nC @ 10V
    9ns
    ±25V
    7 ns
    12A
    4V
    TO-220AB
    25V
    650V
    48A
    200 mJ
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    25 ns
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