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首页 全部分类 STF18NM60N vs STF19NM50N

STF18NM60N备选型号: STF19NM50N

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STF18NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    285MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF18
    3
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    285m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    35nC @ 10V
    22ns
    600V
    ±25V
    40 ns
    13A
    3V
    TO-220AB
    25V
    650V
    52A
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STF19NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    14A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    250MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF19
    3
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    34nC @ 10V
    16ns
    -
    ±25V
    17 ns
    14A
    3V
    TO-220AB
    25V
    500V
    56A
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    208 mJ
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