STF25NM60ND备选型号: STF23NM60ND
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- STMICROELECTRONICS STF25NM60ND Power MOSFET, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON21A Tc150°C TJTubeFDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)3EAR99STF253Single增强型MOSFET40WISOLATED60 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 10.5A, 10V5V @ 250μA2400pF @ 50V80nC @ 10V30ns±25V40 ns21A4VTO-220AB25V600V84A850 mJ16.4mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant---
- STMICROELECTRONICS STF23NM60ND Power MOSFET, N Channel, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON19.5A Tc150°C TJTubeFDmesh™ II活跃1 (Unlimited)3EAR99STF233Single增强型MOSFET35WISOLATED21 nsN-ChannelSWITCHING180m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA2050pF @ 50V70nC @ 10V45ns±25V40 ns19.5A4VTO-220AB25V600V78A700 mJ16.4mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant16 Weekse3Matte Tin (Sn) - annealed
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STF23NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF23NM60ND Power MOSFET, N Channel, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| FCPF22N60NT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 22 A, 165 mO, TO-220F | 对比 | |
![]() | STF28NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP | 对比 |




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