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首页 全部分类 STF8NM60ND vs STF10NM60ND

STF8NM60ND备选型号: STF10NM60ND

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 电阻
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STF8NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
    40 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    37 ns
    FDmesh™ II
    Tube
    150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF8N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    700m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 250μA
    560pF @ 50V
    22nC @ 10V
    22ns
    ±30V
    22 ns
    7A
    TO-220AB
    30V
    7A
    0.7Ohm
    600V
    28A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF10NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    8A Tc
    FDmesh™ II
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    540pF @ 50V
    19nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    9.8 ns
    8A
    TO-220AB
    25V
    8A
    -
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    550MOhm
    600V
    4V
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无铅
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