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STFI13NM60N备选型号: STI13NM60N
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 电阻
- 元素配置
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak3SILICON11A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)3EAR99SINGLESTFI13N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET25WISOLATED3 nsN-ChannelSWITCHING360m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA790pF @ 50V30nC @ 10V8ns±25V10 ns11A25V600V44A220 mJ无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON1-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II活跃1 (Unlimited)3EAR99-STI13N--增强型MOSFET90WDRAIN3 nsN-ChannelSWITCHING360m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA790pF @ 50V30nC @ 10V8ns±25V10 ns11A25V600V44A200 mJ无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)16 Weeks360MOhmSingle3V10.75mm10.4mm4.6mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI18N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK | 对比 |
 | IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | 对比 |
| STI14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-Ch 500 V 0.28 Ohm 12 A MDmesh(TM) II | 对比 |
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