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STFI15N65M5备选型号: IPI60R280C6XKSA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 无铅代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak3SILICON11A Tc150°C TJTubeMDmesh™ VObsolete不适用3EAR99STFI15NSingle增强型MOSFETISOLATED30 nsN-ChannelSWITCHING340m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA816pF @ 100V22nC @ 10V8ns±25V11 ns11ATO-28125V650V44A160 mJ10.85mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON13.8A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)3---增强型MOSFET-13 nsN-ChannelSWITCHING280m Ω @ 6.5A, 10V3.5V @ 430μA950pF @ 100V43nC @ 10V11ns±20V12 ns13.8A-20V-40A284 mJ----ROHS3 Compliant无铅12 Weeks2008yesSINGLE未说明未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE104W无卤素600V0.28Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | 对比 |
 | STI14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-Ch 500 V 0.28 Ohm 12 A MDmesh(TM) II | 对比 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |
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