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STFI20NK50Z备选型号: STB21NM50N-1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak3SILICON17A Tc150°C TJTubeSuperMESH™Obsolete不适用3EAR99SINGLESTFI20N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET40WISOLATED28 nsN-ChannelSWITCHING270m Ω @ 8.5A, 10V4.5V @ 100μA2600pF @ 25V119nC @ 10V20ns±30V15 ns17A30V0.27Ohm500V68A850 mJ无ROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON18A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)3---3-增强型MOSFET140W--N-ChannelSWITCHING190m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1950pF @ 25V65nC @ 10V18ns±25V30 ns18A25V-500V72A480 mJ-ROHS3 Compliante3190mOhmTIN500V未说明unknown18A未说明不合格Single无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STFI24NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II | 对比 |
| STB21NM50N-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK | 对比 |
 | SPI21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK | 对比 |
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