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STFI24NM60N备选型号: STI24NM60N
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak317A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ IIObsolete不适用EAR99STFI24N30W11.5 nsN-Channel190m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA1400pF @ 50V46nC @ 10V16.5ns600V±30V37 ns17A30V650V无ROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA317A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II活跃1 (Unlimited)EAR99STI24N125W11.5 nsN-Channel190m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA1400pF @ 50V46nC @ 10V16.5ns600V±30V37 ns17A30V-无ROHS3 CompliantNRND (Last Updated: 7 months ago)SILICON3SINGLE3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING3V68A600V10.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI24NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N CH 600V 17A I2PAK | 对比 |
| STI26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK | 对比 |
 | IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor | 对比 |
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