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STFI26N60M2备选型号: STI33N65M2
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak20A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™Obsolete1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STFI26NN-Channel165m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA600V±25V20AROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA24A Tc150°C TJTubeMDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)EAR99--STI33NN-Channel140m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA650V±25V24AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks3SILICON3Single增强型MOSFETDRAIN13.5 nsSWITCHING1790pF @ 100V41.5nC @ 10V25V0.14Ohm96A650V780 mJ9.35mm10.4mm4.6mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI33N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 对比 |
 | STI33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | 对比 |
 | IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor | 对比 |
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