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首页 全部分类 STFU28N65M2 vs IPP60R160C6XKSA1

STFU28N65M2备选型号: IPP60R160C6XKSA1

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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STFU28N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 20A
    ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
    16 Weeks
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STFU2
    N-Channel
    180m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 100V
    35nC @ 10V
    650V
    ±25V
    20A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R160C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    23.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    160m Ω @ 11.3A, 10V
    3.5V @ 750μA
    1660pF @ 100V
    75nC @ 10V
    600V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    SILICON
    2006
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
    23.8A
    0.16Ohm
    70A
    600V
    497 mJ
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