STGAP1STR备选型号: IRF7309TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 审批机构
- 电压-隔离度
- 通道数量
- 传播延迟
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 传播延迟(最大延迟差)
- 脉宽失真(PWD)
- 电压 - 输出电源
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 行间距
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO表面贴装表面贴装24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)24-40°C~125°CTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q100, gapDRIVE™Obsolete3 (168 Hours)EAR99STGAPUL2500Vrms1130 ns25ns 25ns MaxBUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER130ns, 130ns10 ns4.5V~36VROHS3 Compliant--------------------------------------
- MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)EAR99IRF7309PBF---------ROHS3 Compliant12 WeeksTinSILICON4A 3A2001e3850mOhm超低电阻1.4WDUAL鸥翼4A6.3 mm增强型MOSFET1.4WN and P-ChannelSWITCHING50m Ω @ 2.4A, 10V1V @ 250μA520pF @ 15V25nC @ 4.5VN-CHANNEL AND P-CHANNEL4A1V20V4A30V16AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard1 V1.4986mm4.9784mm4.05mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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