STGAP1STR备选型号: IRF7309TRPBF

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 审批机构
  • 电压-隔离度
  • 通道数量
  • 传播延迟
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 传播延迟(最大延迟差)
  • 脉宽失真(PWD)
  • 电压 - 输出电源
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 行间距
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO
    表面贴装
    表面贴装
    24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    24
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100, gapDRIVE™
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    STGAP
    UL
    2500Vrms
    1
    130 ns
    25ns 25ns Max
    BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER
    130ns, 130ns
    10 ns
    4.5V~36V
    ROHS3 Compliant
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  • Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    IRF7309PBF
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    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    4A 3A
    2001
    e3
    8
    50mOhm
    超低电阻
    1.4W
    DUAL
    鸥翼
    4A
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    1.4W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 15V
    25nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    4A
    1V
    20V
    4A
    30V
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无铅
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