Infineon Technologies IRF7309TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A 3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

附加功能

超低电阻

最大功率耗散

1.4W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

4A

基本部件号

IRF7309PBF

行间距

6.3 mm

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 2.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 4.5V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

1 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅