STGB15M65DF2备选型号: IRGS8B60KPBF
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- 基本部件号
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SEACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB650V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99136W未说明未说明STGB15Standard136W2V30A142 ns650V2V @ 15V, 15A沟渠现场停车45nC60A24ns/93ns90μJ (on), 450μJ (off)ROHS3 Compliant---------------------------
- IGBT 600V 28A 167W D2PAK-13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)EAR99167W26030IRGS8B60KPBFStandard-2.2V28A--2.2V @ 15V, 8ANPT29nC34A23ns/140ns160μJ (on), 160μJ (off)符合RoHS标准3SILICON2.2V2004e32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V鸥翼28AR-PSSO-G2Single167WCOLLECTORMOTOR CONTROL22nsN-CHANNEL43 ns220 ns20V5.5V56ns4.572mm10.668mm9.65mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS8B60KPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 167W D2PAK | 对比 |
![]() | IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |
![]() | IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 | 对比 |




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