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STGB19NC60WT4备选型号: STGB20H60DF
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
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- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 集极脉冲电流（Icm）
- 高度
- 长度
- 宽度
IGBT 600V 40A 130W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - annealed130W鸥翼245STGB194R-PSSO-G2SingleStandard130WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V40A600V33 ns2.5V @ 15V, 12A204 ns53nC25ns/90ns81μJ (on), 125μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant----------- Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)---活跃1 (Unlimited)--167W-未说明STGB20--SingleStandard167W-N-CHANNEL600V40A600V-2V @ 15V, 20A-115nC42.5ns/177ns209μJ (on), 261μJ (off)20V--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 WeeksEAR99未说明90 ns沟渠现场停车80A4.6mm10.4mm9.35mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGB20N60SF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
 | STGB20V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
| STGB20H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
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