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首页 全部分类 STGB20NB41LZT4 vs FGB20N60SF

STGB20NB41LZT4备选型号: FGB20N60SF

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  • 接通时间
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STGB20NB41LZT4
    STMicroelectronics
    IGBT 442V 40A 200W D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    442V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    20V
    200W
    鸥翼
    245
    20A
    30
    STGB20
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    1 μs
    汽车点火装置
    220ns
    N-CHANNEL
    382V
    40A
    442V
    1220 ns
    2V @ 4.5V, 20A
    16100 ns
    46nC
    80A
    1μs/12.1μs
    5mJ (on), 12.9mJ (off)
    2.4V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGB20N60SF
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins
    -
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    208W
    鸥翼
    -
    -
    -
    FGB20N60
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    600V
    28 ns
    2.8V @ 15V, 20A
    123 ns
    65nC
    60A
    13ns/90ns
    370μJ (on), 160μJ (off)
    6.5V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    1.31247g
    2010
    yes
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    208W
    场站
    20V
    48ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
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