STMicroelectronics STGB20NB41LZT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

442V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

320V, 20A, 1k Ω, 5V

Turn Off Delay Time

12.1 μs

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

200W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGB20

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

1 μs

晶体管应用

汽车点火装置

上升时间

220ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

382V

最大集电极电流

40A

最大击穿电压

442V

接通时间

1220 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 4.5V, 20A

关断时间-标准值（toff)

16100 ns

闸门收费

46nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

1μs/12.1μs

开关能量

5mJ (on), 12.9mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.4V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅