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STGB40V60F备选型号: STGB20V60DF
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- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
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- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
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- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
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- 反向恢复时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
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IGBT 600V 80A 283W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g600V1.8V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99283W未说明未说明STGB40SingleStandard283W600V80A600V2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车226nC160A52ns/208ns456μJ (on), 411μJ (off)ROHS3 Compliant------
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.240009g600V1.8V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Discontinued1 (Unlimited)EAR99167W未说明未说明STGB20SingleStandard167W600V40A600V2.2V @ 15V, 20A沟渠现场停车116nC80A38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)ROHS3 CompliantN-CHANNEL40 ns20V4.6mm10.4mm9.35mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
| STGB20V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
| STGB20NC60V | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | 对比 |
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