STGB5H60DF备选型号: IRGS4B60KD1PBF
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- IGBT类型
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- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
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- 元素配置
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- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
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- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H SACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR9988W未说明未说明STGB5Standard88W1.95V10A134.5 ns600V1.95V @ 15V, 5A沟渠现场停车43nC20A30ns/140ns56μJ (on), 78.5μJ (off)ROHS3 Compliant----------------------------
- IGBT 600V 11A 63W D2PAK-13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)EAR9963W26030IRGS4B60KD1PBFStandard-2.5V11A93 ns-2.5V @ 15V, 4ANPT12nC22A22ns/100ns73μJ (on), 47μJ (off)符合RoHS标准3SILICON2.5V2003e32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V鸥翼11AR-PSSO-G2Single63WCOLLECTORMOTOR CONTROL23nsN-CHANNEL40 ns199 ns20V5.5V89ns4.699mm10.668mm9.652mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL9V2040S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 430V 10A 130W TO263AB | 对比 |
![]() | IRGS4607DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 11A 58W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB7H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 14A 88W D2PAK | 对比 |





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