您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STGD1100LT1G vs IRFR3704ZPBF

STGD1100LT1G备选型号: IRFR3704ZPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 输出类型
  • 界面
  • 输出配置
  • 开关类型
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 比率-输入：输出
  • 电压-负荷
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    STGD1100LT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
    9 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    P-Channel
    On/Off
    高边
    通用型
    20V
    53A
    1:1
    1.8V~8V
    40m Ω
    55mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3704ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    60A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Tin
    表面贴装
    3
    SILICON
    60A Tc
    HEXFET®
    2
    20V
    鸥翼
    260
    60A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    1190pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    8.9ns
    ±20V
    12 ns
    2.1V
    TO-252AA
    20V
    0.0084Ohm
    20V
    240A
    19 ns
    2.26mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMP2008UFG-7 DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 对比
PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-25MLDX Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-1210, 8-LFPAK33 PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 对比
PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-25YLDX Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-100, SOT-669 PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 对比