STGD1100LT1G备选型号: PSMN6R1-25MLDX
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 输出类型
- 界面
- 输出配置
- 开关类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 底架
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- MOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM9 Weeks表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)P-ChannelOn/Off高边通用型20V53A1:11.8V~8V40m Ω55mOhmROHS3 Compliant-------------------------
- PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q26 Weeks表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016-活跃1 (Unlimited)------25V60A----ROHS3 Compliant表面贴装SILICON42W Tc4HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼8IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.24m Ω @ 15A, 10V2.2V @ 1mA702pF @ 12V10.7nC @ 10V±20V0.0103Ohm235A25V51.3 mJSchottky Diode (Body)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI | 对比 |
![]() | PSMN6R1-25MLDX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | 对比 |
![]() | PSMN6R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 对比 |





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