STGF10NC60SD备选型号: IRGB4059DPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 终端
- 上升时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- IGBT类型
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 600V 10A 25W TP220FP通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON600V1.45V-55°C~150°C TJTubePowerMESH™e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed超快25WSTGF103Single25WISOLATEDStandard19 ns电源控制N-CHANNEL600V10A22 nsTO-220AB22.5 ns1.65V @ 15V, 5A560 ns18nC25A19ns/160ns60μJ (on), 340μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant无铅-----------
- IGBT 600V 8A 56W TO220AB通孔通孔TO-220-33SILICON2.2V1.75V-55°C~175°C TJTube--Obsolete1 (Unlimited)3EAR99-超快软恢复56W--Single56WCOLLECTORStandard25 ns电源控制N-CHANNEL2.05V8A55 nsTO-220AB35 ns2.05V @ 15V, 4A120 ns9nC16A25ns/65ns35μJ (on), 75μJ (off)20V6.5V无符合RoHS标准无铅6.000006g2001通孔10ns600VTrench20ns9.02mm10.66mm4.82mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP8NC60KD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 15A 65W TO220 | 对比 |
![]() | STGF14NC60KD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | 对比 |
![]() | IRGB4059DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 8A 56W TO220AB | 对比 |






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