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首页 全部分类 STGF14NC60KD vs IRG4IBC20UDPBF

STGF14NC60KD备选型号: IRG4IBC20UDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 最大下降时间 (tf)
  • STMicroelectronics
    STGF14NC60KD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    超快
    600V
    28W
    11A
    STGF14
    3
    Single
    28W
    ISOLATED
    Standard
    22.5 ns
    电源控制
    8.5ns
    N-CHANNEL
    600V
    11A
    37 ns
    TO-220AB
    31.5 ns
    2.5V @ 15V, 7A
    7A
    340 ns
    34.4nC
    50A
    22.5ns/116ns
    82μJ (on), 155μJ (off)
    20V
    7V
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4IBC20UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    600V
    34W
    11.4A
    -
    -
    Single
    34W
    ISOLATED
    Standard
    -
    电源控制
    17ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    11.4A
    37 ns
    TO-220AB
    55 ns
    2.1V @ 15V, 6.5A
    -
    320 ns
    27nC
    52A
    39ns/93ns
    160μJ (on), 130μJ (off)
    20V
    6V
    16.129mm
    10.7442mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    2003
    通孔
    170ns
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