STGF19NC60KD备选型号: IRG4IBC20UDPBF

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
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  • 已出版
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 上升时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 16A 32W TO220FP
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    32W
    STGF19
    3
    Single
    32W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    16A
    31 ns
    TO-220AB
    38 ns
    2.75V @ 15V, 12A
    270 ns
    55nC
    75A
    30ns/105ns
    165μJ (on), 255μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    34W
    -
    -
    Single
    34W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.1V
    11.4A
    37 ns
    TO-220AB
    55 ns
    2.1V @ 15V, 6.5A
    320 ns
    27nC
    52A
    39ns/93ns
    160μJ (on), 130μJ (off)
    20V
    6V
    符合RoHS标准
    2.299997g
    2003
    通孔
    600V
    11.4A
    17ns
    170ns
    16.129mm
    10.7442mm
    4.826mm
    无SVHC
    无铅
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