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首页 全部分类 STGFW20V60F vs IRGB20B60PD1PBF

STGFW20V60F备选型号: IRGB20B60PD1PBF

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  • 额定电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGFW20V60F
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    32 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    TO-3P-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    400V, 20A, 15V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    52W
    STGFW20
    2
    Single
    52W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    49 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    173 ns
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    5.7mm
    15.7mm
    23.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGB20B60PD1PBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 40A 215W TO220AB
    16 Weeks
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    600V
    2.05V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    215W
    -
    -
    Single
    215W
    -
    Standard
    -
    -
    2.8V
    40A
    -
    2.8V @ 15V, 20A
    -
    NPT
    68nC
    80A
    20ns/115ns
    95μJ (on), 100μJ (off)
    4.69mm
    10.5156mm
    8.763mm
    无
    符合RoHS标准
    TO-220AB
    6.000006g
    2003
    通孔
    150°C
    -55°C
    600V
    40A
    20 ns
    215W
    5ns
    28 ns
    600V
    无SVHC
    无铅
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