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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥22.177098
10
¥20.92179
100
¥19.737537
500
¥18.62032
1000
¥17.566337
STMicroelectronics STGWT20V60DF
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- 对比
STGWT20V60DF
2381-STGWT20V60DF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWT20V60DF详情
STMicroelectronics STGWT20V60DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
32 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3V
Test Conditions
400V, 20A, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
167W
基本部件号
STGWT20
元素配置
Single
功率耗散
167W
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
反向恢复时间
40ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 20A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
116nC
集极脉冲电流(Icm)
80A
Td(开/关)@25°C
38ns/149ns
开关能量
200μJ (on), 130μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
高度
26.7mm
长度
15.7mm
宽度
5.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWT20V60DF拓展信息
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