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首页 全部分类 STGFW40V60F vs STGW39NC60VD

STGFW40V60F备选型号: STGW39NC60VD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGFW40V60F
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-3PF Tube
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    3
    6.961991g
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    62.5W
    未说明
    未说明
    STGFW40
    Single
    Standard
    62.5W
    600V
    80A
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    226nC
    160A
    52ns/208ns
    456μJ (on), 411μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW39NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    -
    -
    STGW39
    Single
    Standard
    -
    600V
    80A
    2.4V @ 15V, 30A
    -
    126nC
    220A
    33ns/178ns
    333μJ (on), 537μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    600V
    40A
    3
    250W
    ISOLATED
    33 ns
    电源控制
    13ns
    600V
    N-CHANNEL
    45ns
    40A
    TO-247AC
    46 ns
    366 ns
    20V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    无铅
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