STGP10H60DF备选型号: NGTB15N60R2FG

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
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  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 115W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115W
    STGP10
    Single
    Standard
    115W
    600V
    20A
    107 ns
    1.95V @ 15V, 10A
    沟渠现场停车
    57nC
    40A
    19.5ns/103ns
    83μJ (on), 140μJ (off)
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    600V
    1.85V
    175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    54W
    -
    Single
    Standard
    54W
    2.1V
    24A
    95 ns
    2.1V @ 15V, 15A
    -
    80nC
    60A
    70ns/190ns
    550μJ (on), 220μJ (off)
    15.87mm
    10.16mm
    4.7mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2007
    yes
    无SVHC
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