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首页 全部分类 STGP19NC60HD vs STGP20H60DF

STGP19NC60HD备选型号: STGP20H60DF

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STGP19NC60HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    130W
    STGP19
    3
    Single
    130W
    Standard
    25 ns
    电源控制
    7ns
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    31ns
    TO-220AB
    32 ns
    2.5V @ 15V, 12A
    272 ns
    53nC
    60A
    25ns/97ns
    85μJ (on), 189μJ (off)
    20V
    5.75V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STGP20H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 40A 167W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    167W
    STGP20
    -
    Single
    167W
    Standard
    -
    -
    -
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    90 ns
    -
    -
    2V @ 15V, 20A
    -
    115nC
    80A
    42.5ns/177ns
    209μJ (on), 261μJ (off)
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    沟渠现场停车
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