STGP20V60DF备选型号: STGP19NC60SD
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 无铅
- IGBT 600V 40A 167W TO220AB20 Weeks通孔通孔TO-220-3600V2.3V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99167WSTGP20Single167WStandardN-CHANNEL600V40A40ns2.2V @ 15V, 20A沟渠现场停车116nC80A38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)20V无ROHS3 Compliant---------------
- IGBT 600V 40A 130W TO2208 Weeks通孔通孔TO-220-3600V--55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99130WSTGP19Single-StandardN-CHANNEL600V40A31 ns1.9V @ 15V, 12A-54.5nC80A17.5ns/175ns135μJ (on), 815μJ (off)20V无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)SILICONPowerMESH™33R-PSFM-T3COLLECTOR17.5 ns130W电源控制TO-220AB23.5 ns535 ns5.75V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP19NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGP20H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 167W TO220 | 对比 |
![]() | STGP19NC60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 130W TO220 | 对比 |



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