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首页 全部分类 STGP30M65DF2 vs IKP40N65F5XKSA1

STGP30M65DF2备选型号: IKP40N65F5XKSA1

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  • 最大集电极电流
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • STMicroelectronics
    STGP30M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    258W
    未说明
    未说明
    STGP30
    Single
    Standard
    258W
    2V
    60A
    140 ns
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    80nC
    120A
    31.6ns/115ns
    300μJ (on), 960μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKP40N65F5XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    255W
    未说明
    未说明
    -
    Single
    Standard
    -
    1.6V
    74A
    60 ns
    2.1V @ 15V, 40A
    -
    95nC
    120A
    19ns/160ns
    360μJ (on), 100μJ (off)
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    255W
    无卤素
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