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首页 全部分类 STGP40V60F vs STGF10NC60KD

STGP40V60F备选型号: STGF10NC60KD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGP40V60F
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    STGP40
    Single
    283W
    Standard
    52 ns
    600V
    80A
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    226nC
    160A
    52ns/208ns
    456μJ (on), 411μJ (off)
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF10NC60KD
    STMicroelectronics
    In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    25W
    STGF10
    Single
    25W
    Standard
    6 ns
    600V
    9A
    2.5V @ 15V, 5A
    -
    19nC
    30A
    17ns/72ns
    55μJ (on), 85μJ (off)
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    600V
    9A
    3
    ISOLATED
    电源控制
    6ns
    N-CHANNEL
    22 ns
    TO-220AB
    23 ns
    242 ns
    20V
    7V
    无SVHC
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