STGP7NC60HD备选型号: STGP10NC60KD

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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGP7NC60HD IGBT Single Transistor, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    80W
    14A
    STGP7
    3
    Single
    80W
    Standard
    18.5 ns
    电源控制
    7ns
    600V
    N-CHANNEL
    600V
    25A
    37ns
    14A
    TO-220AB
    25.5 ns
    2.5V @ 15V, 7A
    14A
    221 ns
    35nC
    50A
    18.5ns/72ns
    95μJ (on), 115μJ (off)
    20V
    5.75V
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 65W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    600V
    65W
    20A
    STGP10
    3
    Single
    25W
    Standard
    -
    电源控制
    6ns
    -
    N-CHANNEL
    600V
    20A
    22 ns
    -
    TO-220AB
    23 ns
    2.5V @ 15V, 5A
    -
    242 ns
    19nC
    30A
    17ns/72ns
    55μJ (on), 85μJ (off)
    20V
    7V
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ISOLATED
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