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首页 全部分类 STGW15H120F2 vs IRG7PH30K10DPBF

STGW15H120F2备选型号: IRG7PH30K10DPBF

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  • 晶体管应用
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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGW15H120F2
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1.2kV
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    259W
    未说明
    未说明
    STGW15
    Single
    Standard
    259W
    1.2kV
    30A
    1200V
    2.6V @ 15V, 15A
    沟渠现场停车
    67nC
    60A
    23ns/111ns
    380μJ (on), 370μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH30K10DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 30A 180W TO247AC
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    2.35V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    180W
    250
    30
    -
    Single
    Standard
    -
    2.35V
    30A
    1200V
    2.35V @ 15V, 9A
    Trench
    45nC
    27A
    14ns/110ns
    530μJ (on), 380μJ (off)
    符合RoHS标准
    SILICON
    2009
    e3
    3
    镍外哑光锡
    41ns
    180W
    COLLECTOR
    23 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    140ns
    TO-247AC
    34 ns
    390 ns
    7.5V
    56ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    无铅
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