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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥22.941379
10
¥21.642809
100
¥20.417743
500
¥19.262024
1000
¥18.17172
ON Semiconductor FGH15T120SMD-F155
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FGH15T120SMD-F155
1807-FGH15T120SMD-F155
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FGH15T120SMD-F155详情
ON Semiconductor FGH15T120SMD-F155重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Test Conditions
600V, 15A, 34 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
333W
元素配置
Single
功率耗散
333W
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
30A
反向恢复时间
72ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 15A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
128nC
集极脉冲电流(Icm)
60A
Td(开/关)@25°C
32ns/490ns
开关能量
1.15mJ (on), 460μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FGH15T120SMD-F155拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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