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首页 全部分类 STGW30NC120HD vs HGTG11N120CND

STGW30NC120HD备选型号: HGTG11N120CND

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 已出版
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  • 附加功能
  • HTS代码
  • 极性
  • IGBT类型
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.75V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.2kV
    220W
    30A
    STGW30
    3
    Single
    220W
    Standard
    29 ns
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    152ns
    1200V
    41 ns
    2.75V @ 15V, 20A
    30A
    928 ns
    110nC
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG11N120CND
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 43A 298W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.2kV
    298W
    43A
    -
    -
    Single
    298W
    Standard
    23 ns
    MOTOR CONTROL
    -
    -
    1.2kV
    43A
    70 ns
    1200V
    33 ns
    2.4V @ 15V, 11A
    -
    570 ns
    100nC
    23ns/180ns
    950μJ (on), 1.3mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2016
    yes
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    NPN
    NPT
    80A
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