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首页 全部分类 STGW30NC120HD vs IHW30N120R3FKSA1

STGW30NC120HD备选型号: IHW30N120R3FKSA1

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 已出版
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率 - 最大
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.75V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.2kV
    220W
    30A
    STGW30
    3
    Single
    220W
    Standard
    29 ns
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    152ns
    1200V
    41 ns
    2.75V @ 15V, 20A
    30A
    928 ns
    110nC
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IHW30N120R3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin TO-247 Tube
    -
    14 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    1.2kV
    -
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    349W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    -
    1200V
    -
    1.75V @ 15V, 30A
    -
    -
    263nC
    -/326ns
    1.47mJ (off)
    20V
    6.4V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2008
    yes
    未说明
    未说明
    349W
    90A
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