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STGW35HF60WDI备选型号: STGW30H60DF
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 功率耗散
- IGBT类型
IGBT 600V 60A 200W TO-247ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~150°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)200WSTGW353R-PSFM-T3SingleStandard35 ns200W电源控制N-CHANNEL600V60A85 ns45 ns2.5V @ 15V, 20A295 ns140nC150A30ns/175ns185μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant无铅---- IGBT 600V 60A 260W TO247--通孔通孔TO-247-3-600V-40°C~175°C TJTube-Obsolete不适用-EAR99-260WSTGW30--SingleStandard----600V60A110 ns-2.4V @ 15V, 30A-105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)--无ROHS3 Compliant-2.4V260W沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | 对比 |
| STGW20NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
 | NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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