STMicroelectronics STGW20NC60VD
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STGW20NC60VD
2381-STGW20NC60VD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
--最小包装量--
STGW20NC60VD详情
STMicroelectronics STGW20NC60VD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 20A, 3.3 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
超快
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
200W
额定电流
30A
基本部件号
STGW20
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200W
输入类型
Standard
接通延迟时间
31 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
11.5ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
44ns
接通时间
42.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 20A
连续集电极电流
30A
关断时间-标准值(toff)
280 ns
闸门收费
100nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
31ns/100ns
开关能量
220μJ (on), 330μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW20NC60VD拓展信息
STMicroelectronics
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