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首页 全部分类 STGW40NC60WD vs FGH40N60SMD

STGW40NC60WD备选型号: FGH40N60SMD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
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  • STMicroelectronics
    STGW40NC60WD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW40NC60WD IGBT Single Transistor, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    250W
    40A
    STGW40
    3
    Single
    250W
    Standard
    33 ns
    电源控制
    12ns
    650V
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    45 ns
    40A
    TO-247AC
    2.9nF
    46 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    40A
    280 ns
    126nC
    230A
    33ns/168ns
    302μJ (on), 349μJ (off)
    20V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40N60SMD
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    349W
    -
    FGH40N60
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    电源控制
    -
    -
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    36 ns
    -
    TO-247AB
    -
    37 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    -
    132 ns
    119nC
    120A
    12ns/92ns
    870μJ (on), 260μJ (off)
    20V
    6V
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    5 Weeks
    2013
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    28ns
    COLLECTOR
    349W
    场站
    17ns
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