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首页 全部分类 STGW60H65DRF vs FGH60N60SMD

STGW60H65DRF备选型号: FGH60N60SMD

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • STMicroelectronics
    STGW60H65DRF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    650V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    420W
    STGW60
    Single
    Standard
    420W
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    19 ns
    2.4V @ 15V, 60A
    沟渠现场停车
    217nC
    240A
    85ns/178ns
    940μJ (on), 1.06mJ (off)
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH60N60SMD
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 120A 600W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    600W
    FGH60N60
    Single
    Standard
    600W
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    39 ns
    2.5V @ 15V, 60A
    场站
    189nC
    180A
    18ns/104ns
    1.26mJ (on), 450μJ (off)
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    SILICON
    2013
    yes
    3
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    70ns
    COLLECTOR
    27 ns
    电源控制
    TO-247AB
    59 ns
    163 ns
    6V
    68ns
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
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