STGW60H65DRF备选型号: FGH75T65SHDTL4
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 达到SVHC
- IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGTACTIVE (Last Updated: 8 months ago)32 Weeks通孔通孔TO-247-36.500007g650V1.9V-55°C~175°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)420WSTGW60SingleStandard420WN-CHANNEL650V120A19 ns2.4V @ 15V, 60A沟渠现场停车217nC240A85ns/178ns940μJ (on), 1.06mJ (off)20V无ROHS3 Compliant无铅-----
- IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performanACTIVE (Last Updated: 5 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-247-46.289g650V1.6V-55°C~175°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)455W--Standard455W-2.1V150A76 ns2.1V @ 15V, 75A场站126nC300A55ns/189ns1.06mJ (on), 1.56mJ (off)--ROHS3 Compliant-4yes未说明未说明无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW80H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
| FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-4 | IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan | 对比 | |
![]() | IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |




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