STGW60V60DF备选型号: FGH40N60SMDF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- HTS代码
- 上升时间-最大值
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- IGBT 600V 80A 375W TO24720 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2.35V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99375WSTGW60Single375WStandardN-CHANNEL600V80A74ns2.3V @ 15V, 60A沟渠现场停车334nC240A60ns/208ns750μJ (on), 550μJ (off)20V20.15mm15.75mm5.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins4 Weeks通孔通孔TO-247-33600V1.9V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99349WFGH40N60Single349WStandardN-CHANNEL600V80A90ns2.5V @ 15V, 40A场站119nC120A12ns/92ns1.3mJ (on), 260μJ (off)20V20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin6.39gSILICON2013e3yes38541.29.00.9528nsCOLLECTOR12 ns电源控制TO-247AB37 ns132 ns6V17ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW40V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 283W TO247 | 对比 |
![]() | STGW40V60DLF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 283W TO247 | 对比 |
![]() | STGW40V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 283W TO247 | 对比 |



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