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首页 全部分类 STGW80H65DFB vs FGH75T65UPD

STGW80H65DFB备选型号: FGH75T65UPD

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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 上升时间-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STGW80H65DFB
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    650V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    469W
    未说明
    未说明
    STGW80
    Single
    Standard
    469W
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    85 ns
    2V @ 15V, 80A
    沟渠现场停车
    414nC
    240A
    84ns/280ns
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
    20V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH75T65UPD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650V 150A 187W
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    650V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    375W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    375W
    N-CHANNEL
    650V
    150A
    85 ns
    2.3V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    385nC
    225A
    32ns/166ns
    2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
    20V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    56ns
    7.5V
    无
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