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首页 全部分类 STGW80V60DF vs FGY75N60SMD

STGW80V60DF备选型号: FGY75N60SMD

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  • 晶体管应用
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • STMicroelectronics
    STGW80V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 120A 469W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Exposed Pad
    3
    38.000013g
    600V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    469W
    STGW80
    Single
    Standard
    469W
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    60 ns
    2.3V @ 15V, 80A
    沟渠现场停车
    448nC
    240A
    60ns/220ns
    1.8mJ (on), 1mJ (off)
    20V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    7.629g
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    750W
    -
    Single
    Standard
    750W
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    55 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    20V
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2010
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    电源控制
    76 ns
    161 ns
    6.5V
    29ns
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