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首页 全部分类 STGW80V60F vs IXXH50N60B3D1

STGW80V60F备选型号: IXXH50N60B3D1

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  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • STMicroelectronics
    STGW80V60F
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    600V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    469W
    未说明
    未说明
    STGW80
    Single
    Standard
    469W
    600V
    120A
    2.3V @ 15V, 80A
    沟渠现场停车
    448nC
    240A
    60ns/220ns
    1.8mJ (on), 1mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH50N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    -
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    600V
    1.55V
    -
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    600W
    未说明
    未说明
    -
    -
    Standard
    -
    1.8V
    120A
    1.8V @ 15V, 36A
    PT
    70nC
    200A
    27ns/100ns
    670μJ (on), 740μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    GenX3™, XPT™
    3
    175°C
    -55°C
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    600W
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    25 ns
    TO-247AD
    75 ns
    320 ns
    20V
    5.5V
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